DDR4 内存预计于 2026 年继续上涨

三星明确表示不会推迟 DDR4 的停产（EOL）计划，这一决定直接引爆了现货市场，导致 DDR4 价格涨幅显著超过 DDR5。

数据显示，主流芯片（DDR4 1Gx8 3200MT/s）的现货均价已从 12 月 24 日当周的 22.235 美元，强势上涨 6.80% 至 12 月 30 日当周的 23.746 美元。

集邦咨询指出行业巨头三星已明确表态：绝不推迟其 DDR4 产品的停产（EOL）计划。这一强硬立场直接打破了市场对供应延续的幻想，DDR4 的价格涨幅因此大幅超越了新一代的 DDR5。

三星的停产决定将产生深远的连锁反应。市场普遍预测，2026 年 DDR4 的供应量将出现断崖式下跌。这种人为造成的稀缺性，极有可能导致 DDR4 出现价格倒挂现象，即其每 Gb 的单价将攀升至最高水平，甚至超过部分先进制程产品。

NAND Flash 市场同样处于上涨通道。受 2026 年第一季度合约价格看涨的强烈预期驱动，现货价格进一步走高。本周，512Gb TLC 晶圆的现货价格大涨 13.35%，达到 13.055 美元。贸易商对后续价格走势持极度乐观态度，因此在出货价格上寸步不让，坚决维持高价策略。

但 NAND 市场的实际成交状况却不容乐观。面对处于高位的现货价格，叠加消费端需求的持续疲软，大多数买家目前选择持币观望。

此外，随着中国农历春节临近，晶圆厂即将进入假期模式，进一步削弱了采购意愿。

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